|
Detail produk:
|
| VBO: | 28-36V | VBO Typ: | 32V |
|---|---|---|---|
| Paket: | Gelas DO-35 | IBO: | 100μA |
| Tipe: | DIAC | Jenis Paket: | Melalui Lubang |
| Bahan: | Silikon | kekuasaan: | 150mW |
| Cahaya Tinggi: | Diac Db3 Db3bl Dioda 100μA,Dioda Db3bl 32V 100μA,db3 diac 32V 100μA |
||
|
TES KONDISI
|
SIMBOL
|
NILAI
|
UNIT
|
|||
| min. | Ketik | Maks. | ||||
|
Tegangan putus
|
C=22nF
|
VBO
|
28 | 32 | 36 |
VOLTS
|
|
Simetri tegangan putus
|
C=22nF
|
I+VBOI-I-VBOI
|
-3
|
3 |
VOLTS
|
|
|
Tegangan pemutus dinamis
|
(CATATAN 1)
|
IDV ± I
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Tegangan keluaran
|
DIAGRAM2
|
VO
|
5 |
VOLTS
|
||
|
Arus pemutusan
|
C=22nF
|
IBO
|
100 |
mA
|
||
|
Waktu bangun
|
DIAGRAM3 |
tr
|
1.5 |
MS
|
||
|
Kebocoran arus
|
VR = 0,5VBO
|
IB
|
10 |
mA
|
||
|
Disipasi daya pada sirkuit tercetak
|
TA=65 C
|
Pd
|
150 |
mW
|
||
|
Arus on-state puncak berulang
|
tp=20ms
f = 100Hz
|
ITRM
|
2 | SEBUAH | ||
|
Resistansi Termal dari Junction ke ambient
|
RQJA
|
400 |
/W
|
|||
|
Resistansi Termal dari Persimpangan ke timah
|
RQJL
|
150 | /W | |||
|
Persimpangan operasi dan kisaran suhu penyimpanan
|
TJ, TSTG
|
125 | ℃ | |||
| Tipe | Tegangan Putus | Maks.Simetri Tegangan Breakover | Maks.Arus Breakover Puncak | Maks.Tegangan Breakover Dinamis | Maks.Arus Puncak Dalam Keadaan | Paket | ||
| V | V | A | V | SEBUAH | ||||
| min. | Ketik | Maks. | ||||||
| DB3 | 28 | 32 | 36 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB4 | 35 | 40 | 45 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB6 | 56 | 63 | 70 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
| DB́8 | 72 | 80 | 88 | 3 | 100 | 5 | 2 | DO-35 |
Kontak Person: Ms. Selena Chai
Tel: +86-13961191626
Faks: 86-519-85109398
